Estructura electrónica en sistemas cristalinos de Ge, GaP y SiC - Document - Gale OneFile: Informe Académico
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Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC) | Revista Peruana de Química e Ingeniería Química
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![Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs. Simulación y aplicaciónen transistores de alta movilidad: simulation and application tures: on high mobility transistors Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs. Simulación y aplicaciónen transistores de alta movilidad: simulation and application tures: on high mobility transistors](http://www.scielo.org.co/img/revistas/iei/v31n1/v31n1a15e3.jpg)